Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

8/Existencias

Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF

Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz

Potencia máxima de 12.5 Watts

Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC

Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje

Diseñado para alta eficiencia en RF

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$ 250.46 MXN + I.V.A

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Características Principales

Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje

Especificaciones Técnicas

Tipo: Transistor de Silicio NPN
Rango de Frecuencia: 2-30 MHz
Voltaje: 12.5 Vcc
Potencia: 12.5 Watt
Encapsulado: 211-07

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