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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

4/Existencias
  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje colector-base hasta 500 V
  • Corriente máxima de colector 15 A
  • Disipación de potencia hasta 80 W
  • Empaque TO-3PN para alta confiabilidad
  • Baja caída de voltaje en saturación 1.0 V
    • Availability: In Stock
    $ 99.84 MXN + I.V.A
    MAS DETALLES

    Características Principales

    • Transistor NPN de silicio para alta potencia
    • Voltaje de colector a base hasta 500 V
    • Corriente máxima de 15 A
    • Capacidad de disipación hasta 80 Watt
    • Empaque TO-3PN para alta confiabilidad

    Aplicaciones

    • Reguladores de Switcheo
    • Generadores Ultrasónicos
    • Inversores de Alta Frecuencia
    • Amplificadores de Potencia de Uso General
    Características Eléctricas
    • VCBO: 500 V (Colector-Base)
    • VCEO: 400 V (Colector-Emisor)
    • VEBO: 7 V (Emisor-Base)
    • IC: 15 A (Corriente de Colector)
    • PC: 80 W (Disipación de Potencia)
    Especificaciones Técnicas
    • Tensión de ruptura V(BR)CEO: 400 V
    • Tensión de ruptura V(BR)CBO: 500 V
    • VCEsat: 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
    • VBEsat: 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
    • Corriente de fuga ICBO: 1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
    Características Térmicas
    • Rth(j-c): 1.56 °C/W (Resistencia térmica)
    • Tj: 150 °C (Temperatura de unión)
    • Tstg: -65~150 °C (Almacenamiento)
    Conexiones (TO-3PN)
    • Pin 1: Base
    • Pin 2: Colector (conectado a base de montaje)
    • Pin 3: Emisor
    Tiempo de Conmutación
    • ton: 0.5 µs
    • ts: 1.5 µs (IB2=-3A, RL=20Ω)
    • tf: 0.15 µs
    Ganancia de Corriente
    • hFE: 10 (IC=6A, VCE=5V)

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